近年表面研磨技術は半導体CMP（Chemical Mechanical Planarization）工法がドライビングフォースとなり大きく変革してきました。 元来表面研磨は微細な硬度の高い無機砥粒を用い被研磨物の表面を削ることによっておこなわれてきました。 しかしながら硬度が高く研磨性が悪い材料は十分な研磨速度がえられなかったり、研磨性の異なる材料を同時に研磨する場合、材料による研磨速度の差による凹凸が生じる問題がありました。
CMP技術は砥粒の機械的研磨だけではなく、砥粒と被研磨物の化学的な反応を加速・抑制または被研磨物の表面組成の化学的改質をおこなうことにより、研磨特性を飛躍的に変化させました。機械的研磨では不可能であった研磨速度、表面平滑性および平坦性を実現することが可能となりました。

お客さまの素材・デバイスデザイン・製造工法は種々多様であることから、弊社では創業当時からカスタムメイドでの研磨スラリー開発をおこなっています。 ＣＭＰラボでは広いバラエティーの砥粒（アルミナ、シリカ、セリア、ダイヤモンド等）と種々の化学薬剤をベースに、最先端の研磨装置・評価機器を用いて、最適な研磨スラリーを開発しお客さまへご提供しております。
研磨スラリーのカスタムメイド化は、その過程において多様なノウハウの蓄積をもたらしています。これにより汎用研磨スラリーを用いておこなわれている現行の研磨工程改善に寄与するのはもちろん、製造コスト・製品性能の飛躍的な向上を可能にしています。
お客さまへ最適なソリューションをご提供するための原動力となっています。

研磨性能が非常に優れていても、環境負荷が大きかったり、身体に悪影響を及ぼす可能性のある組成であれば自然と共存し長く使用できる製品とはいえません。 弊社ラボではそのような環境への配慮と性能が融合した研磨スラリー設計をおこなっております。